一種半導體晶圓表面處理裝置及處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110176974.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112894515B 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN112894515B 申請公布日 2021-12-21
分類號 B24B7/22（2006.01）I;B24B55/06（2006.01）I;B24B41/06（2012.01）I;B24B47/12（2006.01）I;H01L21/304（2006.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 蘇州鼎芯光電科技有限公司
代理機構(gòu) 東莞市神州眾達專利商標事務所（普通合伙） 代理人 劉漢民
地址 212511 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)來秀路新黎路113號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導體晶圓表面處理裝置及處理方法，包括底板、驅(qū)動裝置、固定裝置、支撐架、打磨裝置和吸附裝置；所述的底板上端面中部設置有驅(qū)動裝置，位于驅(qū)動裝置的上端均勻設置有固定裝置，底板的上端面左側(cè)位置設置有支撐架，支撐架的上端內(nèi)壁分別設置有打磨裝置和吸附裝置；本發(fā)明可以解決目前的晶圓在加工中由于晶圓較小，晶圓表面加工的過程中容易凹凸不平，從而影響晶圓的加工質(zhì)量；晶圓固定的過程中不穩(wěn)定；影響晶圓表面打磨的平整性；晶圓進行打磨加工過程中產(chǎn)生的顆粒物飄飛，影響周圍空氣質(zhì)量；以及晶圓打磨多為單個打磨，其打磨加工效率低下嚴重影響晶圓的加工效率等問題。