一種用于以物理氣相傳輸沉淀法生長(zhǎng)單晶用的單晶生長(zhǎng)設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200710119163.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101144179A 公開(kāi)（公告）日 2008-03-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN101144179A 申請(qǐng)公布日 2008-03-19
分類(lèi)號(hào) C30B23/00(2006.01) 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 吳晟 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京晟世星科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中創(chuàng)陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 吳晟;北京晟世星科技有限公司
地址 100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街2號(hào)樓701室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于物理氣相傳輸法生長(zhǎng)單晶用的單晶生長(zhǎng)設(shè)備，包括管狀的真空生長(zhǎng)室，高頻或中頻電源、真空系統(tǒng)、氣壓控制系統(tǒng)，放置單晶原料粉以及被生長(zhǎng)的原始單晶體的石墨坩堝、感應(yīng)加熱線(xiàn)圈、密封真空生長(zhǎng)室上、下端的法蘭盤(pán)，其特征在于，所述管狀的真空生長(zhǎng)室由陶瓷材料制成。由于本發(fā)明的單晶生長(zhǎng)設(shè)備中采用了工業(yè)陶瓷制作的真空生長(zhǎng)室，使真空生長(zhǎng)室的機(jī)械強(qiáng)度高、不易碎裂，也沒(méi)有石英玻璃管微晶化的問(wèn)題，單晶生長(zhǎng)設(shè)備可以可靠地在高溫環(huán)境下工作，且價(jià)格低，降低了設(shè)備成本。