一種用于以物理氣相傳輸沉淀法生長(zhǎng)單晶用的單晶生長(zhǎng)設(shè)備
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200710119163.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN101144179A | 公開(kāi)(公告)日 | 2008-03-19 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN101144179A | 申請(qǐng)公布日 | 2008-03-19 |
分類(lèi)號(hào) | C30B23/00(2006.01) | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
發(fā)明人 | 吳晟 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 北京晟世星科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京中創(chuàng)陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 吳晟;北京晟世星科技有限公司 |
地址 | 100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街2號(hào)樓701室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于物理氣相傳輸法生長(zhǎng)單晶用的單晶生長(zhǎng)設(shè)備,包括管狀的真空生長(zhǎng)室,高頻或中頻電源、真空系統(tǒng)、氣壓控制系統(tǒng),放置單晶原料粉以及被生長(zhǎng)的原始單晶體的石墨坩堝、感應(yīng)加熱線(xiàn)圈、密封真空生長(zhǎng)室上、下端的法蘭盤(pán),其特征在于,所述管狀的真空生長(zhǎng)室由陶瓷材料制成。由于本發(fā)明的單晶生長(zhǎng)設(shè)備中采用了工業(yè)陶瓷制作的真空生長(zhǎng)室,使真空生長(zhǎng)室的機(jī)械強(qiáng)度高、不易碎裂,也沒(méi)有石英玻璃管微晶化的問(wèn)題,單晶生長(zhǎng)設(shè)備可以可靠地在高溫環(huán)境下工作,且價(jià)格低,降低了設(shè)備成本。 |
