一種用于以物理氣相傳輸沉淀法生長單晶用的單晶生長設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710119163.1 申請日 -
公開（公告）號 CN101144179A 公開（公告）日 2008-03-19
申請公布號 CN101144179A 申請公布日 2008-03-19
分類號 C30B23/00(2006.01) 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 吳晟 申請（專利權(quán)）人 北京晟世星科技有限公司
代理機構(gòu) 北京中創(chuàng)陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 代理人 吳晟;北京晟世星科技有限公司
地址 100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街2號樓701室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種用于物理氣相傳輸法生長單晶用的單晶生長設(shè)備，包括管狀的真空生長室，高頻或中頻電源、真空系統(tǒng)、氣壓控制系統(tǒng)，放置單晶原料粉以及被生長的原始單晶體的石墨坩堝、感應加熱線圈、密封真空生長室上、下端的法蘭盤，其特征在于，所述管狀的真空生長室由陶瓷材料制成。由于本發(fā)明的單晶生長設(shè)備中采用了工業(yè)陶瓷制作的真空生長室，使真空生長室的機械強度高、不易碎裂，也沒有石英玻璃管微晶化的問題，單晶生長設(shè)備可以可靠地在高溫環(huán)境下工作，且價格低，降低了設(shè)備成本。