一種用于以物理氣相傳輸沉淀法生長單晶用的單晶生長設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710119163.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN101144179B 公開（公告）日 2010-08-11
申請公布號(hào) CN101144179B 申請公布日 2010-08-11
分類號(hào) C30B23/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 吳晟 申請（專利權(quán)）人 北京晟世星科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中創(chuàng)陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 吳晟;北京晟世星科技有限公司
地址 100080 北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街2號(hào)樓701室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種用于物理氣相傳輸法生長單晶用的單晶生長設(shè)備，包括管狀的真空生長室，高頻或中頻電源、真空系統(tǒng)、氣壓控制系統(tǒng)，放置單晶原料粉以及被生長的原始單晶體的石墨坩堝、感應(yīng)加熱線圈、密封真空生長室上、下端的法蘭盤，其特征在于，所述管狀的真空生長室由陶瓷材料制成。由于本發(fā)明的單晶生長設(shè)備中采用了工業(yè)陶瓷制作的真空生長室，使真空生長室的機(jī)械強(qiáng)度高、不易碎裂，也沒有石英玻璃管微晶化的問題，單晶生長設(shè)備可以可靠地在高溫環(huán)境下工作，且價(jià)格低，降低了設(shè)備成本。