一種復(fù)合膜層臺(tái)面保護(hù)結(jié)構(gòu)及其膜層生產(chǎn)工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010579391.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111710654A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111710654A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L23/29(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 耿開(kāi)遠(yuǎn) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 濟(jì)寧東方芯電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 青島發(fā)思特專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 濟(jì)寧東方芯電子科技有限公司 |
| 地址 | 272100山東省濟(jì)寧市兗州區(qū)兗顏路路北天齊廟村村西 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種復(fù)合膜層臺(tái)面保護(hù)結(jié)構(gòu)及其膜層生產(chǎn)工藝，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，包括半導(dǎo)體器件臺(tái)面，半導(dǎo)體器件臺(tái)面上設(shè)有溝槽，其特征在于：所述的溝槽的外部依次設(shè)有sipos層I、摻磷二氧化硅層、摻氯二氧化硅層和sipos層II，所述溝槽的下方設(shè)有PN結(jié),能夠?qū)崿F(xiàn)可控硅PN結(jié)的保護(hù)。在中間沉積一層吸雜能力強(qiáng)的摻磷二氧化硅層和固定雜質(zhì)能力強(qiáng)的摻氯二氧化硅，使得在其工作點(diǎn)附近摻磷二氧化硅層和摻氯二氧化硅起到有效降低漏電流的作用，既保證高耐壓和高溫度特性，又兼顧了漏電流問(wèn)題。使用此方法的漏電流可以降低到常規(guī)方法的約一半左右。解決了現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的問(wèn)題。?? |
