一種可控硅隔離墻和短基區(qū)同步擴散結(jié)構(gòu)及方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010579367.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111933684A | 公開（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請公布號 | CN111933684A | 申請公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 耿開遠 | 申請（專利權(quán)）人 | 濟寧東方芯電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司 | 代理人 | 濟寧東方芯電子科技有限公司 |
| 地址 | 272100山東省濟寧市兗州區(qū)兗顏路路北天齊廟村村西 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種可控硅隔離墻和短基區(qū)同步擴散結(jié)構(gòu)及方法，屬于半導體器件技術(shù)領(lǐng)域，包括短基區(qū)、高阻區(qū)、陰極區(qū)和臺面槽，臺面槽的上方設(shè)有玻璃鈍化層，短基區(qū)的外側(cè)設(shè)有背面開槽區(qū)，背面開槽區(qū)內(nèi)設(shè)有鎵層，通過背面開槽以及槽內(nèi)擴鎵形成隔離墻，隔離墻和短基區(qū)同質(zhì)，隔離墻和短基區(qū)同步形成，鎵層擴散濃度和深度相同，使用鎵作為導電介質(zhì)，通過背面開槽加槽內(nèi)擴鎵形成隔離墻，擴散溫度低，時間短，避免了常規(guī)的深結(jié)長時間高溫擴散大大減少了工步，解決了現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的問題。?? |
