一種穿通結(jié)構(gòu)可控硅芯片的生產(chǎn)方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010473439.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111816553A | 公開（公告）日 | 2020-10-23 |
| 申請公布號 | CN111816553A | 申請公布日 | 2020-10-23 |
| 分類號 | H01L21/228(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 耿開遠(yuǎn) | 申請（專利權(quán)）人 | 濟(jì)寧東方芯電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 濟(jì)寧東方芯電子科技有限公司 |
| 地址 | 272100山東省濟(jì)寧市兗州區(qū)兗顏路路北天齊廟村村西 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種穿通結(jié)構(gòu)可控硅芯片的生產(chǎn)方法，包括如下步驟：(1)將硅片氧化處理；(2)將硅片進(jìn)行光刻，腐蝕成線條，形成穿通環(huán)；(3)穿通環(huán)的硅片置于化學(xué)腐蝕液中腐蝕出溝槽；(4)利用自動涂源臺涂布；(5)將涂有硼鋁源的硅片置于高溫擴(kuò)散爐中進(jìn)行硼鋁擴(kuò)散。本發(fā)明擴(kuò)散工藝采用的為硼鋁源，硼鋁源主雜質(zhì)是鋁，鋁擴(kuò)散速度快，擴(kuò)散溫度要求低。本發(fā)明形成穿通結(jié)構(gòu)的可控硅片，整個工藝時間16?20小時高溫擴(kuò)散，且最高溫度比常規(guī)最高溫度低，時間不到原來的1/10，提高了所制得芯片少子壽命。?? |
