一種改善可控硅KG特性的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010473440.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111816552A 公開（公告）日 2020-10-23
申請公布號 CN111816552A 申請公布日 2020-10-23
分類號 H01L21/223;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 耿開遠 申請（專利權(quán)）人 濟寧東方芯電子科技有限公司
代理機構(gòu) 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司 代理人 盧登濤
地址 272100 山東省濟寧市兗州區(qū)兗顏路路北天齊廟村村西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導體技術(shù)領域，具體涉及一種改善可控硅KG特性的方法，包括如下步驟：將硅片裝于合金舟上用石英鉤緩慢將合金舟推入爐管內(nèi)恒溫區(qū)，通入氮氣和三氯氧磷，保溫處理后將合金舟拉出即可。本發(fā)明在可控硅鋁合金時表面摻入微量的磷，特別是KG交界處氧化層表面磷的摻入，可以有效固定表面雜質(zhì)和電荷，使得KG特性得到大大改善，避免了漏電和反型現(xiàn)象。