一種納鹽沉淀制備單分散好的低鈉納米氧化鐿的方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010729326.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112010338A | 公開（公告）日 | 2020-12-01 |
| 申請公布號 | CN112010338A | 申請公布日 | 2020-12-01 |
| 分類號 | C01F17/224(2020.01)I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 王鷺 | 申請（專利權(quán)）人 | 常州市卓群納米新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 常州市卓群納米新材料有限公司 |
| 地址 | 213144江蘇省常州市鐘樓區(qū)鄒區(qū)鎮(zhèn)新街邵家村5-1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于材料制備領(lǐng)域，具體涉及一種納鹽沉淀制備單分散好的低鈉納米氧化鐿的方法。通過鈉鹽化學(xué)沉淀方法制備低鈉納米氧化鐿，制備過程中控制具體的工藝條件，并選擇合適的硅烷偶聯(lián)劑，結(jié)合兩次焙燒，使制備出來的納米氧化鐿的粒度，鈉離子含量及性能可以滿足使用要求，具有廣泛的應(yīng)用前景，能提高陶瓷電容最高使用溫度，增加高溫下電容容值穩(wěn)定性。?? |
