一種采用微熱發(fā)電機(jī)的芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910638453.X | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110491846A | 公開(公告)日 | 2019-11-22 |
申請公布號(hào) | CN110491846A | 申請公布日 | 2019-11-22 |
分類號(hào) | H01L23/38(2006.01); H01L23/373(2006.01); H01L35/32(2006.01) | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 周世武; 黃琳; 王柱; 郭新宇; 高聰; 李笑 | 申請(專利權(quán))人 | 廣州埃文新能源有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 廣東埃文低碳科技股份有限公司;廣州埃文新能源有限公司 |
地址 | 510000 廣東省廣州市番禹區(qū)東環(huán)街番禺大道北555號(hào)天安總部中心5號(hào)樓201號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種采用微熱點(diǎn)發(fā)電機(jī)的芯片,包括作業(yè)芯片、N型半導(dǎo)體薄膜、P型半導(dǎo)體薄膜、納米碳散熱膜、導(dǎo)電金屬箔片,作業(yè)芯片至少三個(gè),相鄰兩層作業(yè)芯片之間分別設(shè)至少一個(gè)N型半導(dǎo)體薄膜和至少一個(gè)P型半導(dǎo)體薄膜,且位于同一平面內(nèi)的一個(gè)N型半導(dǎo)體薄膜和一個(gè)P型半導(dǎo)體薄膜之間通過至一條導(dǎo)電金屬箔片相互電氣連接;納米碳散熱分別包覆在各作業(yè)芯片中位于最上方的作業(yè)芯片的上端面和位于最下方的作業(yè)芯片下端面。本發(fā)明一方面可有效實(shí)現(xiàn)芯片運(yùn)行時(shí)的整體降溫能力,并有助于提高芯片運(yùn)行時(shí)的降溫性能,另一方面便于對芯片運(yùn)行溫度進(jìn)行精確便捷監(jiān)控,同時(shí)也提高了芯片運(yùn)行時(shí)的能源綜合回收利用率。 |
