多晶硅鑄錠設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201922485452.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211734535U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211734535U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-23 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B35/00(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 周華;孔令珂;陶能松;黃福龍;張學(xué)日;吳純 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江西中材新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 江西中材新材料有限公司;中材江蘇太陽(yáng)能新材料有限公司;中材高新材料股份有限公司 |
| 地址 | 344000江西省新余市高新開(kāi)發(fā)區(qū)賽維大道1859號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型實(shí)施方式提供一種多晶硅鑄錠設(shè)備。所述多晶硅鑄錠設(shè)備包括坩堝、光源、及光線檢測(cè)裝置。所述坩堝具有收容腔，所述坩堝在所述收容腔的內(nèi)壁上附設(shè)有氮化硅涂層。所述光源及所述光線檢測(cè)裝置分別設(shè)置于收容腔的內(nèi)側(cè)和外側(cè)，或者分別設(shè)置于外側(cè)和內(nèi)側(cè)。所述光源朝所述氮化硅涂層發(fā)射初始光線，所述初始光線經(jīng)過(guò)所述氮化硅涂層后形成檢測(cè)光線，所述檢測(cè)光線傳導(dǎo)至所述光線檢測(cè)裝置。所述光線檢測(cè)裝置接收檢測(cè)光線，并根據(jù)所述檢測(cè)光線判斷所述氮化硅涂層的厚度是否滿(mǎn)足預(yù)設(shè)厚度。所述多晶硅鑄錠設(shè)備及多晶硅鑄錠方法檢測(cè)氮化硅涂層的厚度是否滿(mǎn)足預(yù)設(shè)厚度的精準(zhǔn)度更高。?? |
