鍍膜方法、晶圓膜層及薄膜設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110869350.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113584463A 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN113584463A 申請公布日 2021-11-02
分類號 C23C16/52（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 萬軍;王輝 申請（專利權(quán)）人 無錫市邑晶半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京眾達(dá)德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張曉冬
地址 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)觀山路1號（超駿大廈）第4層819室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種鍍膜方法、晶圓膜層及薄膜設(shè)備，屬于微型發(fā)光二極管領(lǐng)域；本申請實(shí)施例提供的一種鍍膜方法、晶圓膜層及薄膜設(shè)備，對微型發(fā)光二極管芯片依次進(jìn)行原子沉積和化學(xué)沉積，相對于直接采用化學(xué)沉積可以提升微型發(fā)光二極管芯片的均勻性，相對于全部采用原子沉積可以提升鍍膜效率，可以有效地提升微型發(fā)光二極管出光的效率及器件的可靠度，也能使之后氣相沉積的膜層更致密。