一種ALD反應(yīng)腔室

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022899057.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214458309U 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN214458309U 申請公布日 2021-10-22
分類號 C23C16/455;C23C16/54;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 萬軍;廖海濤;王斌;王輝 申請（專利權(quán)）人 無錫市邑晶半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京眾達(dá)德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉杰
地址 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)觀山路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種ALD反應(yīng)腔室，包括反應(yīng)腔室和封蓋，所述反應(yīng)腔室頂部敞口，所述反應(yīng)腔室的底部開設(shè)有進(jìn)氣通道及出氣通道，所述進(jìn)氣通道和所述出氣通道以所述反應(yīng)腔室的底部的第一方向的中心線相對設(shè)置，所述封蓋可操作地將所述反應(yīng)腔室頂部密封。本實用新型保證沉積膜的成型質(zhì)量和一致性，成膜效率高，周期短，提高前驅(qū)體源的利用率，適合批量性生產(chǎn)，具有很好的實用價值。