一種ALD加工設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022904146.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214937792U 公開(kāi)（公告）日 2021-11-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN214937792U 申請(qǐng)公布日 2021-11-30
分類號(hào) C23C16/455（2006.01）I;C23C16/54（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 萬(wàn)軍;廖海濤;王斌;王輝 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫市邑晶半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉杰
地址 214028 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)觀山路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種ALD加工設(shè)備。該加工設(shè)備的反應(yīng)器包括真空腔室以及反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室內(nèi)置于真空腔室內(nèi)，反應(yīng)腔室頂部敞口，反應(yīng)腔室的底部開(kāi)設(shè)有進(jìn)氣通道及出氣通道，進(jìn)氣通道和出氣通道以反應(yīng)腔室的底部的第一方向的中心線相對(duì)設(shè)置，升降裝置設(shè)置在反應(yīng)器上，升降裝置的輸出端沿豎向伸縮，升降裝置的輸出端上設(shè)置有封蓋，封蓋可操作地將反應(yīng)腔室頂部密封，輸送裝置用于將基體輸送至真空腔室內(nèi)，抓取裝置設(shè)置在封蓋上，抓取裝置用于抓取輸送至真空腔室內(nèi)的基體。本實(shí)用新型保證沉積膜的成型質(zhì)量和一致性，成膜效率高，周期短，提高前驅(qū)體源的利用率，適合批量性生產(chǎn)，具有很好的實(shí)用價(jià)值。