一種ALD加熱組件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022900008.7 申請日 -
公開（公告）號 CN214694358U 公開（公告）日 2021-11-12
申請公布號 CN214694358U 申請公布日 2021-11-12
分類號 C23C16/455（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 萬軍;廖海濤;王斌;王輝 申請（專利權(quán)）人 無錫市邑晶半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京眾達德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉杰
地址 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)觀山路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種ALD加熱組件。該加熱組件適用于對反應器的加熱，該加熱組件包括第一加熱器、第二加熱器以及第三加熱器，第一加熱器設(shè)置在封蓋的頂部上，第一加熱器的輸出端作用在封蓋上，第二加熱器設(shè)置在反應腔室的外側(cè)壁和真空腔室的內(nèi)側(cè)壁之間，第二加熱器的輸出端作用在反應腔室的側(cè)壁上，第三加熱器設(shè)置在反應腔室的底部和真空腔室的底部之間，第三加熱器作用在反應腔室的底部上。本實用新型可實現(xiàn)反應腔室的頂部、側(cè)部及底部三個區(qū)域獨立輻射加熱和控溫，在大空間內(nèi)形成均勻溫度場，以使前驅(qū)體源的加熱溫度快速升溫至需求溫度，加熱效率高，加熱均勻，提高沉積膜的成型質(zhì)量和一致性，適合批量性生產(chǎn)。