一種新型倒裝芯片及其制作與封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510079764.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104638085A 公開（公告）日 2015-05-20
申請公布號 CN104638085A 申請公布日 2015-05-20
分類號 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高凱;顏海燦 申請（專利權）人 常州樂迪電子科技有限公司
代理機構 廣州新諾專利商標事務所有限公司 代理人 華輝
地址 213000 江蘇省常州市天寧區(qū)青洋北路143號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種新型倒裝芯片及其制作與封裝方法，該倒裝芯片包括透明襯底，在透明襯底上表面依次層疊有N型外延層、載流子復合層及P型外延層，所述N型外延層與P型外延層均為摻雜的氮化鎵外延層。所述N型外延層下表面與所述透明襯底上表面面積相等，且所述載流子復合層上表面與所述P型外延層下表面面積相等且小于N型外延層下表面面積；所述N型外延層一端的上表面依次層疊設有N-GaN電極和第一錫球，所述P型外延層遠離N-GaN電極的一端的上表面依次層疊設有P-GaN電極和第二錫球；所述N-GaN電極和P-GaN電極的間距約為300μm。該倒裝芯片結構簡單、成本較低且出光效率高，可實現(xiàn)全周角發(fā)光。