一種具有極低泄露電流的帶隙基準啟動電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610003613.X 申請日 -
公開（公告）號 CN105511540A 公開（公告）日 2016-04-20
申請公布號 CN105511540A 申請公布日 2016-04-20
分類號 G05F1/56(2006.01)I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 吳建輝;孫杰;傅娟;李紅 申請（專利權(quán)）人 江蘇東南大學(xué)資產(chǎn)經(jīng)營有限公司
代理機構(gòu) 南京瑞弘專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 東南大學(xué);江蘇東南大學(xué)資產(chǎn)經(jīng)營有限公司;南京集成電路設(shè)計服務(wù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
地址 211189 江蘇省南京市江寧區(qū)東南大學(xué)路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有極低泄露電流的帶隙基準啟動電路，包括高長寬比PMOS管、電流鏡和NMOS開關(guān)，將高長寬比PMOS管作為電阻使用，NMOS開關(guān)與帶隙基準核心電路的輸入端相連，電流鏡與帶隙基準核心電路的輸出端相連。本發(fā)明采用NMOS開關(guān)，開啟速度比PMOS開關(guān)快；帶隙基準電路正常工作后，NMOS開關(guān)關(guān)斷，NMOS的柵源電壓為負電壓，從而關(guān)斷效果更明顯，在任何工藝角和溫度下泄漏電流都在皮安級別以下，對基準源電流失配影響可以忽略，啟動電路中的其它支路仍處于導(dǎo)通狀態(tài)，但此時啟動電路靜態(tài)電流很?。挥肞MOS管電阻代替常規(guī)無源電阻，節(jié)省芯片面積。