一種硅溶膠及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110102532.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112875710A | 公開(公告)日 | 2021-06-01 |
申請公布號 | CN112875710A | 申請公布日 | 2021-06-01 |
分類號 | C01B33/141;B82Y40/00;C09G1/02 | 分類 | 無機化學; |
發(fā)明人 | 朱斌;仵靖 | 申請(專利權(quán))人 | 石家莊優(yōu)士科電子科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 河北國維致遠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 墨偉 |
地址 | 050000 河北省石家莊市高新區(qū)湘江道319號孵化器C座01-1908號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及半導體拋光技術(shù)領(lǐng)域,具體公開一種硅溶膠及其制備方法。該硅溶膠具備如下特征:按質(zhì)量含量算,當硅溶膠中的固含量為20%時,硅溶膠中膠狀低聚物的質(zhì)量含量<200ppm;膠粒表面的硅烷醇基密度為2.0?6.0個/nm2;當膠粒的質(zhì)量含量為10%時,硅溶膠的相對弛豫系數(shù)R2sp在2.5?6.5之間;且動態(tài)光散射粒徑D(nm)與BET比表面積S(g/m2)D×S值在3200?8600。該硅溶膠的制備方法為:在包含堿催化劑、水和二氧化硅種核的有機溶劑中連續(xù)加入烷氧基硅烷,同時補入酸根陰離子以及堿催化劑得到。本發(fā)明提供的硅溶膠在作為CMP拋光液中的研磨顆粒使用時,能抑制劃痕等缺陷的產(chǎn)生。 |
