一種多孔結構銅納米線陣列的制備方法及其薄膜電導率的測試方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310361520.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103510048B 公開（公告）日 2017-03-08
申請公布號 CN103510048B 申請公布日 2017-03-08
分類號 C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;G01R27/02(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鄧元;曹麗莉;譚明;祝薇;葉慧紅;崔長偉 申請（專利權）人 杭州知創(chuàng)新材料技術有限公司
代理機構 南京知識律師事務所 代理人 黃嘉棟
地址 310051 浙江省杭州市濱江區(qū)長河街道江虹路768號1號樓第1204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種銅納米線陣列的常溫制備方法，它是在磁控濺射儀中，將銅靶材放入磁控濺射儀的真空室中的直流臺上；把基板放置于樣品臺2上；調節(jié)樣品臺2與直流臺1的距離至50?90mm；對真空室抽真空，從而使真空室內的真空度達到2.0×10?4?4.0×10?4Pa；在室溫條件下，向真空室中充入氬氣，并將氬氣壓強調節(jié)至1.0?2.0Pa；施加直流電壓于緊接靶材的陰極和緊接基板后的陽極間（即直流電壓）,使電流為80?120mA，電壓為0.25?0.35kV；沉積1?7小時，關閉直流電源，原位退火20min，自然冷卻至室溫25℃后，制得有銅納米線陣列薄膜的氮化鋁、石英或銅基板。本發(fā)明中所得到的銅納米線陣列結構均一，有效的保證了納米相的均勻分布，整個沉積工藝過程簡單，成本低廉，易于規(guī)模化生產(chǎn)。