一種多孔結(jié)構(gòu)銅納米線陣列的制備方法及其薄膜電導(dǎo)率的測(cè)試方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310361520.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103510048A 公開(kāi)（公告）日 2014-01-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN103510048A 申請(qǐng)公布日 2014-01-15
分類號(hào) C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;G01R27/02(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鄧元;曹麗莉;譚明;祝薇;葉慧紅;崔長(zhǎng)偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州知?jiǎng)?chuàng)新材料技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京知識(shí)律師事務(wù)所 代理人 黃嘉棟
地址 310051 浙江省杭州市濱江區(qū)長(zhǎng)河街道江虹路768號(hào)1號(hào)樓第1204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種銅納米線陣列的常溫制備方法，它是在磁控濺射儀中，將銅靶材放入磁控濺射儀的真空室中的直流臺(tái)上；把基板放置于樣品臺(tái)2上；調(diào)節(jié)樣品臺(tái)2與直流臺(tái)1的距離至50-90mm；對(duì)真空室抽真空，從而使真空室內(nèi)的真空度達(dá)到2.0×10-4-4.0×10-4Pa；在室溫條件下，向真空室中充入氬氣，并將氬氣壓強(qiáng)調(diào)節(jié)至1.0-2.0Pa；施加直流電壓于緊接靶材的陰極和緊接基板后的陽(yáng)極間（即直流電壓）,使電流為80-120mA，電壓為0.25-0.35kV；沉積1-7小時(shí)，關(guān)閉直流電源，原位退火20min，自然冷卻至室溫25℃后，制得有銅納米線陣列薄膜的氮化鋁、石英或銅基板。本發(fā)明中所得到的銅納米線陣列結(jié)構(gòu)均一，有效的保證了納米相的均勻分布，整個(gè)沉積工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，成本低廉，易于規(guī)?；a(chǎn)。