一種碳化硅單晶位錯檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010198747.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111366589A 公開（公告）日 2020-07-03
申請公布號 CN111366589A 申請公布日 2020-07-03
分類號 G01N21/95;G01N1/32;C30B33/12;C30B29/36 分類 -
發(fā)明人 彭燕;楊祥龍;徐現剛;王垚浩;于國建;陳秀芳 申請（專利權）人 廣州南砂晶圓半導體技術有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 511400 廣東省廣州市南沙區(qū)珠江街南江二路7號自編2棟2層201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N碳化硅單晶位錯檢測方法，利用氫等離子體或者氧等離子體的刻蝕特性，刻蝕碳化硅晶圓表面，得到碳化硅單晶中的位錯缺陷，既可以選擇對C面刻蝕、也可以對Si面刻蝕，不采用強堿熔融作為腐蝕液，安全且高效，另外，由于微波等離子體腔體較大，無需額外制樣，可實現小片或者全片觀察位錯類型、密度和分布情況。