一種用于減少碳化硅單晶中的碳包裹體的坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021257677.0 申請日 -
公開（公告）號 CN212610986U 公開（公告）日 2021-02-26
申請公布號 CN212610986U 申請公布日 2021-02-26
分類號 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐南;于國建;王垚浩;徐現(xiàn)剛 申請（專利權(quán)）人 廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 511458廣東省廣州市南沙區(qū)珠江街南江路7號自編2棟201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N用于減少碳化硅單晶中的碳包裹體的坩堝，通過坩堝體中SiC多晶料的上方依次設置氣流勻化件和蓋板。其中，氣流勻化件包括平板、設置在平板上的密封蓋，密封蓋設置在平板中靠近蓋板的一側(cè)；平板的外周與坩堝體的內(nèi)壁相接觸，平板的中心開設有通孔；密封蓋包括底壁以及從底壁延伸出的側(cè)壁，側(cè)壁上開設有多個通孔，密封蓋通過其側(cè)壁扣合在平板的通孔上。這樣，在單晶生長時，SiC多晶料分解產(chǎn)生的氣流經(jīng)過平板和密封蓋上的通孔后，氣流的傳輸從原來的以對流為主的模式變成以擴散為主的模式，由于擴散模式氣流傳輸速度相比于對流模式慢，所以碳顆粒會沉積下來，進而可以有效減少碳化硅單晶中的碳包裹體。??