一種用于減少碳化硅單晶中碳包裹體的坩堝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020875086.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212223148U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212223148U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-25 |
| 分類號(hào) | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 胡小波;王垚浩;徐現(xiàn)剛;楊祥龍;于國(guó)建;陳秀芳;徐南;劉彬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 511458廣東省廣州市南沙區(qū)珠江街南江二路7號(hào)自編2棟2層201室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于減少碳化硅單晶中碳包裹體的坩堝，通過(guò)在坩堝體的內(nèi)壁上設(shè)置環(huán)形的坩堝附件，坩堝附件的底面上開(kāi)設(shè)有凹槽，同時(shí)，使坩堝附件靠近所述坩堝蓋、坩堝附件的內(nèi)徑大于所述籽晶的直徑。利用上述結(jié)構(gòu)，在單晶生長(zhǎng)初期，靠近坩堝體側(cè)壁的地方溫度最高，進(jìn)而靠近坩堝體側(cè)壁處過(guò)量的Si進(jìn)入了設(shè)置在坩堝體的側(cè)壁上的坩堝附件的凹槽中，因此，利用坩堝附件中的凹槽可以分流生長(zhǎng)初期過(guò)量的Si，這樣便減少Si組分對(duì)坩堝的侵蝕，有助于減少SiC單晶中的碳包裹體；同時(shí)，在單晶生長(zhǎng)一段時(shí)間后，靠近坩堝體側(cè)壁的剩余多晶料中的碳也會(huì)進(jìn)入坩堝附件的凹槽中，進(jìn)而可以減少SiC單晶中的碳包裹體。?? |
