一種用于提高原料利用率的坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021257684.0 申請日 -
公開（公告）號 CN212640658U 公開（公告）日 2021-03-02
申請公布號 CN212640658U 申請公布日 2021-03-02
分類號 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐南;于國建;王垚浩;徐現(xiàn)剛 申請（專利權(quán)）人 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 511458廣東省廣州市南沙區(qū)珠江街南江二路7號自編2棟2層201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N用于提高原料利用率的坩堝，通過將坩堝體底面的中部區(qū)域設(shè)計為向所述坩堝體的內(nèi)部凹陷的結(jié)構(gòu)，進而從坩堝體的外部觀察，可以在坩堝體的底部形成一凹陷部，而從坩堝體的內(nèi)部觀察，可以在坩堝體的內(nèi)部形成一凸起結(jié)構(gòu)；同時，與所述凹陷部的形狀相匹配的，在加熱底座的上表面設(shè)置有凸起部。在晶體生長時，該凸起部可以置于凹陷部中且凸起部的外壁與所述凹陷部的內(nèi)部相接觸，通過對加熱底座的加熱，將熱量傳遞到坩堝體內(nèi)部的中心區(qū)域，從而實現(xiàn)對位于坩堝體中心區(qū)域的碳化硅多晶料加熱，減少結(jié)晶，提高原料的利用率。??