一種用于提高原料利用率的坩堝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021257684.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212640658U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212640658U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-02 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 徐南;于國(guó)建;王垚浩;徐現(xiàn)剛 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 511458廣東省廣州市南沙區(qū)珠江街南江二路7號(hào)自編2棟2層201室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于提高原料利用率的坩堝，通過(guò)將坩堝體底面的中部區(qū)域設(shè)計(jì)為向所述坩堝體的內(nèi)部凹陷的結(jié)構(gòu)，進(jìn)而從坩堝體的外部觀察，可以在坩堝體的底部形成一凹陷部，而從坩堝體的內(nèi)部觀察，可以在坩堝體的內(nèi)部形成一凸起結(jié)構(gòu)；同時(shí)，與所述凹陷部的形狀相匹配的，在加熱底座的上表面設(shè)置有凸起部。在晶體生長(zhǎng)時(shí)，該凸起部可以置于凹陷部中且凸起部的外壁與所述凹陷部的內(nèi)部相接觸，通過(guò)對(duì)加熱底座的加熱，將熱量傳遞到坩堝體內(nèi)部的中心區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)位于坩堝體中心區(qū)域的碳化硅多晶料加熱，減少結(jié)晶，提高原料的利用率。?? |
