一種籽晶托及碳化硅單晶生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910374009.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111910246A 公開（公告）日 2020-11-10
申請公布號 CN111910246A 申請公布日 2020-11-10
分類號 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊祥龍;徐現(xiàn)剛;陳秀芳;胡小波;于國建 申請（專利權(quán)）人 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 511458廣東省廣州市南沙區(qū)珠江街南江二路7號自編2棟2層201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N籽晶托及碳化硅單晶生長方法，通過在籽晶托基底的中心區(qū)域設(shè)有導(dǎo)熱層，并且導(dǎo)熱層的熱導(dǎo)率大于籽晶托基底的熱導(dǎo)率。當(dāng)將SiC籽晶粘結(jié)在籽晶托上進行單晶生長時，由于籽晶托中心區(qū)域的導(dǎo)熱層的熱導(dǎo)率比石墨籽晶托基底大，因此，對應(yīng)該中心區(qū)域的籽晶表面溫度相比籽晶其它區(qū)域溫度低，對應(yīng)生長組分濃度高、過飽和度大，當(dāng)其過飽和達到臨界過飽和度時，便開始成核，而籽晶表面其他區(qū)域溫度相對較高，還達不到臨界過飽和度，無法自發(fā)成核。這樣，便可以上述中心區(qū)域形成的晶核為中心緩慢生長，建立起中心晶核優(yōu)勢，進而獲得碳化硅單晶。本申請利用上述導(dǎo)熱層調(diào)制籽晶表面溫場，減少了成核數(shù)量，提高了SiC晶體質(zhì)量。??