一種用于碳化硅晶片退火的裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022301952.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN214032757U 公開(kāi)(公告)日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN214032757U 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類(lèi)號(hào) C30B33/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陳秀芳;張木青;徐現(xiàn)剛;王垚浩 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 511458廣東省廣州市南沙區(qū)珠江街南江二路7號(hào)自編2棟2層201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于碳化硅晶片退火的裝置,通過(guò)在坩堝體內(nèi)設(shè)有一層或多層用于放置碳化硅晶片的夾層板,并且設(shè)置各夾層板沿坩堝體的軸向方向排布,相鄰的夾層板之間具有一定的間距。這樣,在碳化硅晶片退火時(shí),在各夾層板上分別摞若干片碳化硅晶片,與將所有的碳化硅晶片直接摞在一起相比,可以有效防止碳化硅晶片的晶片重量增加,導(dǎo)致晶片之間壓得過(guò)緊,氧化后難分離的問(wèn)題。同時(shí),在各夾層板上開(kāi)設(shè)通孔,可以保證空氣的流通,進(jìn)而可以保證各晶片之間的空氣流通,有助于減少晶片黏連。因此,本申請(qǐng)實(shí)施例可以解決碳化硅晶片退火后晶片不好分離的問(wèn)題,可以有效降低裂片、破片率,還可以在坩堝內(nèi)放置更多的晶片,提高退火效率并降低生產(chǎn)成本。