一種用于碳化硅晶片退火的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022301952.0 申請日 -
公開（公告）號 CN214032757U 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN214032757U 申請公布日 2021-08-24
分類號 C30B33/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳秀芳;張木青;徐現(xiàn)剛;王垚浩 申請（專利權(quán)）人 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 511458廣東省廣州市南沙區(qū)珠江街南江二路7號自編2棟2層201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N用于碳化硅晶片退火的裝置，通過在坩堝體內(nèi)設(shè)有一層或多層用于放置碳化硅晶片的夾層板，并且設(shè)置各夾層板沿坩堝體的軸向方向排布，相鄰的夾層板之間具有一定的間距。這樣，在碳化硅晶片退火時，在各夾層板上分別摞若干片碳化硅晶片，與將所有的碳化硅晶片直接摞在一起相比，可以有效防止碳化硅晶片的晶片重量增加，導(dǎo)致晶片之間壓得過緊，氧化后難分離的問題。同時，在各夾層板上開設(shè)通孔，可以保證空氣的流通，進而可以保證各晶片之間的空氣流通，有助于減少晶片黏連。因此，本申請實施例可以解決碳化硅晶片退火后晶片不好分離的問題，可以有效降低裂片、破片率，還可以在坩堝內(nèi)放置更多的晶片，提高退火效率并降低生產(chǎn)成本。