一種用于生長(zhǎng)大尺寸碳化硅單晶的坩堝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202021742009.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213172678U 公開（公告）日 2021-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN213172678U 申請(qǐng)公布日 2021-05-11
分類號(hào) C30B23/00;C30B29/36 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 楊祥龍;徐現(xiàn)剛;王垚浩;胡小波;陳秀芳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 511458 廣東省廣州市南沙區(qū)珠江街南江二路7號(hào)自編2棟2層201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于生長(zhǎng)大尺寸碳化硅單晶的坩堝，通過(guò)將坩堝體分為上坩堝體和下坩堝體兩部分結(jié)構(gòu)，并且，設(shè)置坩堝蓋扣合在上坩堝體的頂部，上坩堝體的底部與下坩堝體的頂部連接；下坩堝體的電阻率小于上坩堝體的電阻率，上坩堝體的電阻率小于或等于坩堝蓋的電阻率。在碳化硅單晶生長(zhǎng)時(shí)，由于下坩堝體的石墨電阻率低于上坩堝體的石墨電阻率，相應(yīng)的下坩堝體的坩堝壁交變電流要比上坩堝體大，加熱效率高，使得與之接觸的碳化硅多晶粉料溫度高；上坩堝體以及坩堝蓋的石墨電阻率高于下坩堝體的石墨電阻率，相應(yīng)的其產(chǎn)生的交變電流相對(duì)小，使得碳化硅籽晶區(qū)域溫度低。這樣，可以從坩堝體底部到頂部方向，營(yíng)造軸向溫度梯度，滿足晶體生長(zhǎng)速率要求。