一種用于碳化硅單晶生長的石墨坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020875855.X 申請日 -
公開（公告）號 CN212375418U 公開（公告）日 2021-01-19
申請公布號 CN212375418U 申請公布日 2021-01-19
分類號 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 胡小波;王垚浩;徐現(xiàn)剛;于國建;楊祥龍;陳秀芳;徐南 申請（專利權(quán)）人 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 511458廣東省廣州市南砂區(qū)珠江街南江二路7號自編2棟2層201室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N用于碳化硅單晶生長的石墨坩堝，通過將坩堝蓋中靠近坩堝體的下表面設(shè)置為包括第二下表面、凸出于第二下表面的第一下表面，第一下表面和第二下表面之間形成傾斜的坩堝蓋臺階面；同時，將坩堝體端口處的內(nèi)壁設(shè)置為傾斜內(nèi)壁。這樣，坩堝蓋與坩堝體裝配后，坩堝蓋臺階面與傾斜內(nèi)壁相接觸，進(jìn)而坩堝蓋與坩堝體之間以傾斜面密封。另外，在坩堝蓋的第二下表面上開設(shè)有第一固定孔，坩堝蓋與坩堝體通過穿設(shè)在第一固定孔中的坩堝緊固部件緊固，第二下表面與坩堝體的端口面之間具有一定的間距，坩堝蓋的第二下表面與坩堝體的端口面之間的間隙，可以使該處的坩堝緊固部件完全暴露在坩堝外部的氣氛中，進(jìn)而可以使坩堝的使用壽命延長。??