一種增強型高電子遷移率晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810585676.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108831923A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN108831923A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 戚永樂;于洪宇 申請（專利權(quán)）人 珠海鎵未來科技有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗學(xué)苑大道1088號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種增強型高電子遷移率晶體管。該晶體管包括依次層疊的襯底層、溝道層和勢壘層；p型柵極，位于勢壘層遠(yuǎn)離襯底層的一側(cè)；阻擋介質(zhì)層，位于p型柵極遠(yuǎn)離襯底層的一側(cè)；阻擋介質(zhì)層為絕緣材料；柵極金屬層，位于阻擋介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述p型柵極的一側(cè)；源極和漏極，源極和漏極位于勢壘層遠(yuǎn)離襯底層的一側(cè)。本發(fā)明實施例提供的增強型高電子遷移率晶體管，通過在p型柵極和柵極金屬層之間插入阻擋介質(zhì)層，阻擋介質(zhì)層可以較大幅度地提高增強型高電子遷移率晶體管的p型柵極的擊穿電壓，同時提高增強型高電子遷移率晶體管的閾值電壓，提高柵極電壓的最大擺幅，提高增強型高電子遷移率晶體管的性能。