一種肖特基二極管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910209930.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109920857A 公開（公告）日 2019-06-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN109920857A 申請(qǐng)公布日 2019-06-21
分類號(hào) H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于洪宇;曾凡明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海鎵未來科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 519000 廣東省珠海市橫琴新區(qū)環(huán)島東路3000號(hào)橫琴國際商務(wù)中心901-9024室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種肖特基二極管及其制備方法。所述肖特基二極管包括：氧化鎵襯底；位于所述氧化鎵襯底上的氧化鎵外延層，其中，所述氧化鎵外延層遠(yuǎn)離所述氧化鎵襯底的一側(cè)設(shè)置有多個(gè)溝槽；位于所述多個(gè)溝槽內(nèi)的多個(gè)p型材料結(jié)構(gòu)；覆蓋所述p型材料結(jié)構(gòu)及所述氧化鎵外延層的第一電極；位于所述氧化鎵襯底遠(yuǎn)離所述氧化鎵外延層一側(cè)的第二電極。在p型材料結(jié)構(gòu)與氧化鎵外延層之間形成異質(zhì)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，從而解決了氧化鎵材料由于很難形成p型摻雜材料而用于制作高性能的肖特基二極管時(shí)伴隨的高技術(shù)難度以及高成本的問題，同時(shí)制作的肖特基二極管在高電壓大電流情況下具有較低的開啟電壓，且具有較高的反向擊穿電壓，提高了肖特基二極管工作的穩(wěn)定性。