一種肖特基二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910209930.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109920857B 公開（公告）日 2021-11-30
申請公布號 CN109920857B 申請公布日 2021-11-30
分類號 H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于洪宇;曾凡明 申請（專利權(quán)）人 珠海鎵未來科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 潘登
地址 519000 廣東省珠海市橫琴新區(qū)環(huán)島東路3000號橫琴國際商務(wù)中心901-9024室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種肖特基二極管及其制備方法。所述肖特基二極管包括：氧化鎵襯底；位于所述氧化鎵襯底上的氧化鎵外延層，其中，所述氧化鎵外延層遠(yuǎn)離所述氧化鎵襯底的一側(cè)設(shè)置有多個溝槽；位于所述多個溝槽內(nèi)的多個p型材料結(jié)構(gòu)；覆蓋所述p型材料結(jié)構(gòu)及所述氧化鎵外延層的第一電極；位于所述氧化鎵襯底遠(yuǎn)離所述氧化鎵外延層一側(cè)的第二電極。在p型材料結(jié)構(gòu)與氧化鎵外延層之間形成異質(zhì)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，從而解決了氧化鎵材料由于很難形成p型摻雜材料而用于制作高性能的肖特基二極管時伴隨的高技術(shù)難度以及高成本的問題，同時制作的肖特基二極管在高電壓大電流情況下具有較低的開啟電壓，且具有較高的反向擊穿電壓，提高了肖特基二極管工作的穩(wěn)定性。