一種半導(dǎo)體制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110182585.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112993760A 公開（公告）日 2021-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112993760A 申請(qǐng)公布日 2021-06-18
分類號(hào) H01S5/34;H01S5/026 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳伯莊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 桂林雷光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京錦信誠(chéng)泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 倪青華
地址 541004 廣西壯族自治區(qū)桂林市七星區(qū)高新區(qū)信息產(chǎn)業(yè)園D-08地塊#生產(chǎn)車間
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體制造方法，在單個(gè)半導(dǎo)體外延沉積過程中在同一平面內(nèi)生長(zhǎng)不同層厚度量子阱，包括如下步驟：進(jìn)行第一次層外延，以生長(zhǎng)基本的外延層結(jié)構(gòu)，基本的外延層結(jié)構(gòu)包括襯底、一個(gè)犧牲層和一個(gè)橋接層，犧牲層位于襯底和橋接層之間；通過光刻和蝕刻形成橋圖案，并形成帶有圖案化橋頭懸垂的晶片；清洗晶片；將清洗后帶有圖案化橋頭懸垂的晶片送回外延設(shè)備進(jìn)行第二次層外延；選擇性去除部分高架橋結(jié)構(gòu)，從而形成不同區(qū)域中具有不同厚度外延層的晶片。還提供了相應(yīng)的激光器集成結(jié)構(gòu)制造方法及由此制造的激光器集成結(jié)構(gòu)。當(dāng)該光學(xué)模式通過波束形成部分離開集成設(shè)備時(shí)，所得的遠(yuǎn)場(chǎng)圖案更窄，有利于將設(shè)備光耦合到光纖中及設(shè)備的可靠性。