基于硅基微環(huán)的游標(biāo)效應(yīng)光纖干涉?zhèn)鞲衅鹘庹{(diào)裝置及方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110267612.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113029218B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113029218B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號(hào) | G01D5/353（2006.01）I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 王若暉;李敏軒;喬學(xué)光 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西北大學(xué) |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安永生專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 710069陜西省西安市太白北路229號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種基于硅基微環(huán)的游標(biāo)效應(yīng)光纖干涉?zhèn)鞲衅鹘庹{(diào)裝置及方法，寬帶光源出射的激光通過(guò)光纖進(jìn)入環(huán)形器，環(huán)形器與干涉型光纖傳感器和光纖放大器的輸入端通過(guò)光纖相連，光纖放大器的輸出端通過(guò)光柵耦合器與硅光芯片相連，所述的硅光芯片為SOI基底上設(shè)置有結(jié)構(gòu)相同的第一直波導(dǎo)和第二直波導(dǎo)，第一直波導(dǎo)和第二直波導(dǎo)之間設(shè)置有環(huán)形波導(dǎo)，環(huán)形波導(dǎo)與第一直波導(dǎo)和第二直波導(dǎo)之間留有間隙，環(huán)形波導(dǎo)上設(shè)置有加熱電極。本發(fā)明采用硅光芯片對(duì)光纖干涉?zhèn)鞲衅鹘庹{(diào)，使解調(diào)裝置微型化，光纖干涉?zhèn)鞲衅鞣瓷涞墓庑盘?hào)進(jìn)入硅光芯片與硅光芯片的光譜進(jìn)行疊加產(chǎn)生游標(biāo)效應(yīng)，提高了解調(diào)靈敏度，增大了測(cè)量范圍。 |
