一種功率晶體管及電子設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020388558.2 申請日 -
公開（公告）號 CN212010979U 公開（公告）日 2020-11-24
申請公布號 CN212010979U 申請公布日 2020-11-24
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏令 申請（專利權(quán)）人 頂諾微電子（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京威禾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 沈超
地址 518129 廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道南2號萬科星火Dnline天樞倉4層思維A39
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種功率晶體管及電子設(shè)備，其中功率晶體管至少包括襯底、緩沖層以及勢壘層；以及位于所述勢壘層以上的柵極、源極和漏極；其中，在所述柵極下方和所述源極、漏極之間的導(dǎo)電溝道中設(shè)有一個或多個絕緣的隔離結(jié)構(gòu)。本申請還涉及包括該種功率晶體管的電子設(shè)備。本申請將隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置在功率晶體管的導(dǎo)電溝道中，通過減少散熱較差部分導(dǎo)電路徑，優(yōu)化了導(dǎo)電路徑，使得功率晶體管整體的溫度分布更加均勻，減少熱點(diǎn)產(chǎn)生的可能性，提高功率晶體管的工作穩(wěn)定性。??