一種溫度自補(bǔ)償?shù)幕衔锇雽?dǎo)體功率放大器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720422466.X 申請日 -
公開（公告）號 CN206672918U 公開（公告）日 2017-11-24
申請公布號 CN206672918U 申請公布日 2017-11-24
分類號 H01L23/31(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 頂諾微電子（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100093 北京市海淀區(qū)清華大學(xué)西南2號樓，2-503
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種溫度自補(bǔ)償?shù)幕衔锇雽?dǎo)體功率放大器，有利于緊密的追蹤化合物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的溫度變化，以同樣的電壓幅度來補(bǔ)償溫度變化引起的閾值電壓變化，并以一個(gè)元件代替?zhèn)鹘y(tǒng)溫度補(bǔ)償電路模塊，其特征在于，在同一個(gè)封裝外殼里，同時(shí)封裝一個(gè)化合物半導(dǎo)體肖特基二極管和化合物半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管，上述肖特基二極管的陽極金屬層和上述高電子遷移率晶體管的柵極金屬層結(jié)構(gòu)一致，上述肖特基二極管的勢壘層和上述高電子遷移率晶體管的隔離層材料一致，上述肖特基二極管的陽極和上述化合物半導(dǎo)體晶體管的柵極通過導(dǎo)線連接，并與封裝外殼上1號接口連接，肖特基二極管的陰極與封裝外殼上2號接口連接，上述高電子遷移率晶體管的源極和漏極分別與封裝外殼上3號和4號接口連接。