石墨預熱片、半導體預熱裝置、硅芯爐及磷檢爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110333579.X 申請日 -
公開（公告）號 CN102505145B 公開（公告）日 2014-12-10
申請公布號 CN102505145B 申請公布日 2014-12-10
分類號 C30B35/00(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I;C30B13/18(2006.01)I;C30B13/28(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 曹澤俊;劉華 申請（專利權(quán)）人 江西賽維LDK太陽能多晶硅有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利代理有限公司 代理人 江西賽維LDK太陽能多晶硅有限公司
地址 338000 江西省新余市高新經(jīng)濟開發(fā)區(qū)賽維工業(yè)園專利辦公室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種石墨預熱片及半導體預熱裝置，所述石墨預熱片包括本體，所述本體上設置有多個通孔。所述半導體預熱裝置，位于硅芯爐內(nèi)部，包括高頻線圈和與所述高頻線圈同軸設置的石墨預熱片。本發(fā)明實施例還提供了一種使用該半導體預熱裝置的硅芯爐和磷檢爐。本發(fā)明實施例的石墨預熱片可以使高頻線圈發(fā)出的磁線穿過通孔到達母料，使母料在溫度有一定程度升高變成導磁體后，產(chǎn)生渦流效應，從而使母料快速地熔化。