一種薄膜晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410346471.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104134613B 公開（公告）日 2018-12-11
申請公布號 CN104134613B 申請公布日 2018-12-11
分類號 H01L21/336;H01L29/786 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高金字;呂雅茹;鍾享顯;陸文正 申請（專利權(quán)）人 福州華映視訊有限公司
代理機(jī)構(gòu) 福州君誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司
地址 350000 福建省福州市馬尾區(qū)科技園區(qū)興業(yè)路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種制造薄膜晶體管的方法，包含下列步驟：形成閘極于基板上；形成閘極絕緣層于閘極上；形成圖案化半導(dǎo)體層于閘極絕緣層上；形成源極于圖案化半導(dǎo)體層上；氧化源極的外圍部份以形成氧化層，其中氧化層覆蓋源極及部分的圖案化半導(dǎo)體層；形成保護(hù)層與氫離子，其中保護(hù)層覆蓋氧化層與圖案化半導(dǎo)體層；以及以氫離子摻雜未被氧化層覆蓋的圖案化半導(dǎo)體層，以形成汲極。本發(fā)明亦提供一種薄膜晶體管。