一種基于GaAsBi-HEMT工藝的可重構(gòu)寬帶放大器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210637625.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114710126A 公開（公告）日 2022-07-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN114710126A 申請(qǐng)公布日 2022-07-05
分類號(hào) H03F1/42（2006.01）I;H03F1/56（2006.01）I;H03F1/30（2006.01）I;H03F1/32（2006.01）I;H03F1/26（2006.01）I;H03F3/60（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 葉珍;童偉;鄔海峰;王測(cè)天;劉瑩;滑育楠;廖學(xué)介 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都嘉納海威科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 西安正華恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 610200四川省成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于GaAs Bi?HEMT工藝的可重構(gòu)寬帶放大器，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括頻段可選輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、自適應(yīng)偏置饋電網(wǎng)絡(luò)、PD控制單元和新型分布式放大網(wǎng)絡(luò)。本發(fā)明采用了Bi?HEMT工藝，該工藝在單片內(nèi)集成了HBT和pHEMT，從而實(shí)現(xiàn)了最優(yōu)化的芯片性能；其次，本發(fā)明電路具有可重構(gòu)特性，實(shí)現(xiàn)了多頻段可選和可動(dòng)態(tài)控制電路的電性能，并可同時(shí)實(shí)現(xiàn)超寬帶、高增益、高線性、高輸出功率、較低功耗和較低噪聲的特性，且具有很好的電路可靠性；最后，本發(fā)明電路具有溫度穩(wěn)定和自適應(yīng)線性化特性。