基于差值比較法的芯片ESD二極管工藝缺陷檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011049190.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112275667B 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN112275667B 申請公布日 2022-07-08
分類號 B07C5/344（2006.01）I 分類 將固體從固體中分離；分選;
發(fā)明人 王測天;羊洪輪;鄔海峰;張謙;黃夢;覃良;楊聰聰;李仁俠;胡柳林;石君;呂繼平;童偉 申請（專利權(quán)）人 成都嘉納海威科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 成都正德明志知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 610200四川省成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于差值比較法的芯片ESD二極管工藝缺陷檢測方法，能夠篩選出ESD二極管導(dǎo)通電壓或擊穿電壓異常的芯片，解決了現(xiàn)有芯片性能測試方法不能將二極管導(dǎo)通電壓或擊穿電壓異常芯片完全篩選出來的技術(shù)問題。本發(fā)明采用的差值法可以顯著遏制芯片量產(chǎn)測試的正常波動對于量產(chǎn)測試的干擾作用，有效攔截了ESD二極管導(dǎo)通電壓或擊穿電壓異常的芯片。此外本發(fā)明采用兩點(diǎn)IV的測試方法，測試速度快，測試環(huán)境簡單。