提高永磁體磁穩(wěn)定性的冷熱循環(huán)老化處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210017729.0 申請日 -
公開（公告）號 CN102568808B 公開（公告）日 2014-02-26
申請公布號 CN102568808B 申請公布日 2014-02-26
分類號 H01F41/02(2006.01)I;H01F7/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒光榮 申請（專利權(quán)）人 西安西工大思強科技股份有限公司
代理機構(gòu) 西安創(chuàng)知專利事務(wù)所 代理人 譚文琰
地址 710065 陜西省西安市科技五路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高永磁體磁穩(wěn)定性的冷熱循環(huán)老化處理方法，該方法為：將一個或多個經(jīng)飽和充磁的永磁體置于不導(dǎo)磁底板上，然后放入高低溫箱中，在溫度為-70℃～-20℃的條件下冷凍處理30min～120min，接著以1℃/min～10℃/min的升溫速率將高低溫箱的溫度加熱60℃～250℃，并保溫30min～240min，最后自然冷卻至室溫，完成冷熱循環(huán)老化處理。采用本發(fā)明的方法可有效消除或降低永磁體溫度變化時的總損失、不可逆損失、可逆損失和可逆溫度系數(shù)，提高永磁體的熱穩(wěn)定性、時間穩(wěn)定性、振動條件下磁穩(wěn)定性和耐輻射磁穩(wěn)定性。