外延結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210206690.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114566538A 公開（公告）日 2022-05-31
申請公布號 CN114566538A 申請公布日 2022-05-31
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許潔;張杰 申請（專利權(quán)）人 上海陸芯電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)蔡倫路1690號2幢409室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種外延結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件，外延結(jié)構(gòu)包括：鈍化層；勢壘層，勢壘層位于所述鈍化層的一側(cè)；其中，所述勢壘層的表面包括至少一個勢壘層凹槽，至少一個勢壘層凹槽位于結(jié)構(gòu)設(shè)定區(qū)域，且所述至少一個勢壘層凹槽的開口朝向鈍化層。勢壘層表面的勢壘層凹槽可以引入更多的電場集中區(qū)域，進(jìn)而削弱在柵極靠近漏極的邊緣處因電場集中效應(yīng)產(chǎn)生的峰值電場的強度，減少柵極邊緣因該峰值電場的作用變?yōu)闀幌葳宸@的熱電子的數(shù)量，進(jìn)而縮短了在半導(dǎo)體器件開關(guān)時陷阱的充放電時間，即縮短了半導(dǎo)體器件開啟和關(guān)斷的時間，提高器件的響應(yīng)速度。