屏蔽柵溝槽型MOSFET器件及其制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010693343.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111863969A | 公開(公告)日 | 2021-06-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111863969A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-01 |
分類號(hào) | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李豪;張杰;胡舜濤;潘曉偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海陸芯電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號(hào)2幢409室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種屏蔽柵溝槽型MOSFET器件及其制造方法。屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的制造方法包括:提供半導(dǎo)體襯底,并在所述半導(dǎo)體襯底上形成溝槽;其中,所述半導(dǎo)體襯底的上表面設(shè)置有第一絕緣層,所述溝槽由所述半導(dǎo)體襯底和所述第一絕緣層圍合而成;在所述溝槽底部形成屏蔽導(dǎo)體;在所述屏蔽導(dǎo)體上形成柵極導(dǎo)體,所述柵極導(dǎo)體的上表面與所述第一絕緣層的上表面齊平;去除所述第一絕緣層,所述柵極導(dǎo)體的上表面高出所述半導(dǎo)體襯底的上表面。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例減小了屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的柵極電阻。 |
