一種改善刻蝕均勻性的雙擋板裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110002167.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114724913A 公開（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114724913A 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類號(hào) H01J37/32（2006.01）I;H01J37/08（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張瑤瑤;劉小波;胡冬冬;張懷東;劉海洋;李娜;郭頌;李曉磊;許開東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇魯汶儀器股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 -
地址 221300江蘇省徐州市邳州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河西路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善刻蝕均勻性的雙擋板裝置，包括均安裝在刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)的第一擋板和第二擋板；第一擋板為整圓板，能在第一擋板驅(qū)動(dòng)裝置的作用下，對(duì)離子源產(chǎn)生的離子束進(jìn)行全遮擋；晶圓采用兩次刻蝕，一次刻蝕為無擋板遮擋下的刻蝕，二次刻蝕為采用第二擋板遮擋的刻蝕；第二擋板的結(jié)構(gòu)根據(jù)刻蝕工況進(jìn)行選擇，能在第二擋板驅(qū)動(dòng)裝置的作用下，對(duì)一次刻蝕時(shí)晶圓表面刻蝕速率快的區(qū)域進(jìn)行遮擋，使得晶圓表面刻蝕速率保持一致?？涛g工況包括低能工況、中能工況和高能工況。本發(fā)明通過兩塊擋板的配合刻蝕，從而提高晶圓成品的整體刻蝕均勻性，增加晶圓的利用率。