一種倒裝芯片中的鍍膜方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110023354.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114752921A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114752921A 申請公布日 2022-07-15
分類號 C23C16/505（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鄒志文;崔虎山;鄒榮園;范思大;丁光輝;許開東 申請（專利權）人 江蘇魯汶儀器股份有限公司
代理機構 南京經緯專利商標代理有限公司 代理人 -
地址 221300江蘇省徐州市邳州市經濟開發(fā)區(qū)遼河西路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種倒裝芯片中的鍍膜方法，本發(fā)明通過控制反應氣體及高低頻功率分配方式可實現低功率低溫條件下進行低應力致密薄膜生成，同時提高薄膜側壁覆蓋和粘附性；相比現有工藝，本發(fā)明方法所制得的薄膜的致密性更好；同期應力對比基本無變化；應力穩(wěn)定在壓應力250Mpa；且在后續(xù)涂膠光刻工藝未出現薄膜脫落的問題。