一種提高離子束刻蝕陡直度的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011535973.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114664644A | 公開（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114664644A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-24 |
| 分類號(hào) | H01L21/263（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔣中原;韓大建;車東辰;馮英雄;劉建;劉鵬;谷志強(qiáng);李佳鶴 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇魯汶儀器股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 221300江蘇省徐州市邳州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河西路8號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明的一種提高離子束刻蝕陡直度的方法，包括如下步驟：步驟1，將已經(jīng)圖形化的晶圓傳輸至離子束刻蝕腔，首先進(jìn)行離子束刻蝕，刻蝕至預(yù)定的膜層；步驟2，進(jìn)行離子束修飾，改善晶圓側(cè)壁陡直度；步驟3，循環(huán)離子束刻蝕和離子束修飾，直到刻蝕結(jié)束和修飾結(jié)束。本發(fā)明是在現(xiàn)有的設(shè)備上通過改變工藝流程來實(shí)現(xiàn)側(cè)壁陡直度的提高，所以節(jié)約了成本；本發(fā)明由于刻蝕和修飾是分開來實(shí)現(xiàn)，所以可以在保持高效率刻蝕的同時(shí)得到較好的側(cè)壁陡直度；本發(fā)明不通過選擇掩模來實(shí)現(xiàn)高的側(cè)壁陡直度，降低了掩模的使用要求，增加了掩模的使用范圍；本發(fā)明由于修飾使用的角度較大，可以在提高側(cè)壁陡直度的同時(shí)消除側(cè)壁沉積，提高的器件的性能。 |
