一種腔室的清洗方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110023554.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114752918A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114752918A 申請公布日 2022-07-15
分類號 C23C16/44（2006.01）I;B08B7/00（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鄒志文;崔虎山;鄒榮園;范思大;丁光輝;許開東 申請（專利權(quán)）人 江蘇魯汶儀器股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 -
地址 221300江蘇省徐州市邳州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河西路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種腔室的清洗方法，該方法先關(guān)閉ICP?CVD反應(yīng)腔室的分子泵，用干泵抽真空；通入清洗氣體高頻電源啟輝，形成清洗氣體的等離子體對腔室內(nèi)進(jìn)行清洗，在該過程中間歇啟動低頻電源；然后關(guān)閉干泵，啟動分子泵抽真空；通入清洗氣體，啟動高頻電源對腔室進(jìn)行清洗，在該過程中間歇啟動低頻電源，完成腔室的清洗。該清洗方法使用常規(guī)的含氟氣體、惰性氣體和含氧氣體在腔室內(nèi)進(jìn)行等離子清洗作業(yè)；通過雙工藝規(guī)控制程序來控制不同的腔壓條件及射頻條件對腔室頂部，邊緣，底部進(jìn)行清洗；同時(shí)通過流程的切換來保證對腔室材料的損傷降至最低；減少腔室內(nèi)由于清洗過程及腔室損傷帶來的顆粒問題。