一種等離子增強化學(xué)氣相沉積腔室的清洗方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811598157.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111370282B 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號 CN111370282B 申請公布日 2022-06-24
分類號 H01J37/32;H01L21/67 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉自明;崔虎山;鄒志文;蔣中原;車東晨;王玨斌;陳璐;許開東 申請（專利權(quán)）人 江蘇魯汶儀器股份有限公司
代理機構(gòu) 北京得信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孟海娟;崔建麗
地址 221300 江蘇省徐州市邳州市邳州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)遼河西路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種等離子增強化學(xué)氣相沉積腔室的清洗方法，所采用的清洗氣體包括CF4和N2O。本發(fā)明能夠有效解決小型研究機構(gòu)所使用的Si系等離子增強化學(xué)氣相沉積腔室清洗問題，可以杜絕氣路被污染甚至被堵的風(fēng)險，提高設(shè)備的可靠性，延長設(shè)備維護周期，提高生產(chǎn)效率，降低顆粒污染，提高產(chǎn)品品質(zhì)。