一種等離子密度可調(diào)的離子源裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110002168.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114724907A 公開（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114724907A 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類號(hào) H01J37/08（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡冬冬;張瑤瑤;劉小波;張懷東;劉海洋;李娜;郭頌;李曉磊;許開東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇魯汶儀器股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 -
地址 221300江蘇省徐州市邳州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河西路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種等離子密度可調(diào)的離子源裝置，包括從內(nèi)至外依次同軸設(shè)置的放電腔、螺旋線圈和離子源腔；放電腔的外壁面上設(shè)置有金屬箔，金屬箔能夠屏蔽放電腔的內(nèi)邊緣磁場強(qiáng)度，中和趨膚效應(yīng)所造成的等離子體密度偏高，使得放電腔內(nèi)等離子體密度分布均勻。金屬箔的寬度W取值范圍為1~20mm，金屬箔的厚度T取值范圍為0.1mm~t，其中，t為趨膚深度；根據(jù)放電腔中的邊緣等離子體密度和中心區(qū)域等離子體密度的差異性，選擇金屬箔的厚度T和表面積。本發(fā)明通過在放電腔外增加法拉第結(jié)構(gòu)，并對(duì)法拉第結(jié)構(gòu)進(jìn)行功率分配，針對(duì)不同工況進(jìn)行等離子體密度調(diào)節(jié)，從而有效改善刻蝕均勻性。