一種用磁控濺射封裝深紫外LED芯片的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010189752.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111403578A 公開(kāi)（公告）日 2020-07-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN111403578A 申請(qǐng)公布日 2020-07-10
分類(lèi)號(hào) H01L33/56(2010.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張立勝;賀鐘冶 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳深旨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專(zhuān)利代理有限公司 代理人 譚雪婷;梁炎芳
地址 518000廣東省深圳市龍華區(qū)觀湖街道鷺湖社區(qū)觀樂(lè)路5號(hào)多彩科技城2號(hào)樓1607
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了采用磁控濺射的方式在靶材上沉積高紫外線透過(guò)率的AlN、SiN薄膜材料，隔絕芯片與空氣、水的接觸，達(dá)到深紫外LED芯片封裝的目的。本發(fā)明技術(shù)方案旨在保持封裝結(jié)構(gòu)氣密性和穩(wěn)定性，提高燈珠的使用壽命。