一種用磁控濺射封裝深紫外LED芯片的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010189752.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111403578B 公開（公告）日 2021-04-06
申請公布號(hào) CN111403578B 申請公布日 2021-04-06
分類號(hào) H01L33/64(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張立勝;賀鐘冶 申請（專利權(quán)）人 深圳深旨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 譚雪婷;梁炎芳
地址 518000廣東省深圳市龍華區(qū)觀湖街道鷺湖社區(qū)觀樂路5號(hào)多彩科技城2號(hào)樓1607
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了采用磁控濺射的方式在靶材上沉積高紫外線透過率的AlN、SiN薄膜材料，隔絕芯片與空氣、水的接觸，達(dá)到深紫外LED芯片封裝的目的。本發(fā)明技術(shù)方案旨在保持封裝結(jié)構(gòu)氣密性和穩(wěn)定性，提高燈珠的使用壽命。