一種適配氮化硅基材的發(fā)熱電阻漿料及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910360969.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110085346B 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN110085346B 申請公布日 2021-04-30
分類號 H01B1/16;H01B1/22;H01B13/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖玉超;蘇冠賢;周嘉念;孫永濤 申請（專利權(quán)）人 東莞珂洛赫慕電子材料科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳靈頓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陶品德
地址 523000 廣東省東莞市常平鎮(zhèn)田橫路25號珂洛赫慕產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及電阻漿料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種適配氮化硅基材的發(fā)熱電阻漿料及其制備方法和應(yīng)用，電阻漿料包括如下重量百分比的原料：玻璃粉20?50%、氧化釕粉18?35%、銀粉3?15%、有機載體25?31%和助劑1?3%。本發(fā)明的電阻漿料的方阻為1?100Ω/□，方阻隨玻璃粉含量增大而增大、隨氧化釕和銀粉含量增大而減小，銀粉含量對方阻的降幅影響更大一些；電阻重燒變化率為2.0%?4.0%，隨氧化釕和銀粉含量增大而增大；冷熱（?30℃?300℃）沖擊5個循環(huán)，無裂紋不脫落；震動測試后無裂紋不脫落；超聲波清洗后無裂紋不脫落；耐電壓大于2000V。